3月13日，新華網(wǎng)刊登了《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標(biāo)綱要》，其中“集成電路”領(lǐng)域，特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體也就是行業(yè)人士關(guān)注的第三代半導(dǎo)體要取得發(fā)展。

官宣來了 

  十四五規(guī)劃中提到的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）均為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中氮化鎵用于半導(dǎo)體器件中時，具備耐高溫、高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通電阻、高效率、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)異特性，不過受限于制造工藝、應(yīng)用成本等因素的限制，多年以來氮化鎵僅實現(xiàn)小范圍應(yīng)用。

  近年來，隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，并正在打開應(yīng)用市場。自從2018年開始，氮化鎵在消費類快充電源領(lǐng)域的應(yīng)用就已經(jīng)進入了快車道。未來五年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于激光雷達、5G通信、新能源汽車、特高壓、人工智能、數(shù)據(jù)中心等場景。

產(chǎn)業(yè)利好

  氮化鎵寫入十四五規(guī)劃，意味著這一產(chǎn)業(yè)將在未來的發(fā)展中獲得國家層面的大力扶持，加速以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大規(guī)模實現(xiàn)技術(shù)自主可控；并有望成為我國打破歐美發(fā)達國家在第二代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)壟斷的突破口，緩解以美國為首的發(fā)達國家對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展形成的壓力，最終完成彎道超車。 

  對于消費電源產(chǎn)業(yè)而言，隨著氮化鎵技術(shù)及市場化應(yīng)用逐漸成熟，大規(guī)模量產(chǎn)將帶來巨大的成本優(yōu)勢，未來的快充市場也將被氮化鎵技術(shù)徹底激活，不斷刺激傳統(tǒng)快充配件市場全面開啟產(chǎn)品迭代模式。這期間，經(jīng)過工程師的不斷探索，涌現(xiàn)出一大批創(chuàng)新型氮化鎵快充，推動行業(yè)發(fā)展起到了深遠影響。

  這也將為整個快充產(chǎn)業(yè)鏈帶來極大的利好，在即將爆發(fā)的大規(guī)模產(chǎn)品迭代中，不僅是氮化鎵功率器件，與之配套的控制芯片、變壓器、電容、快充工廠都將迎來前所未有的市場機遇。

  去年9月，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時也預(yù)示中國功率半導(dǎo)體步入一個嶄新時代。

氮化鎵芯片上游

  在氮化鎵快充市場不斷發(fā)展壯大的過程中，入局該領(lǐng)域的玩家也逐漸增多。在最受關(guān)注的氮化鎵功率器件方面，雖然據(jù)充電頭網(wǎng)拆解數(shù)據(jù)顯示，目前僅有納微、PI、英諾賽科、GaNsystems、Transphorm五家品牌的氮化鎵功率器件正式量產(chǎn)出貨并成功導(dǎo)入了終端產(chǎn)品；但在充電頭網(wǎng)最新的整理的氮化鎵芯片供應(yīng)商中，已有十余家國內(nèi)外氮化鎵芯片原廠推出了多達數(shù)十款氮化鎵芯片。

文章來源：充電頭網(wǎng)